它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
TAJE686M020RNJ_TAJE686M020RNJ
TAJD686K025RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
TAJE686M020RNJ_TAJE686M020RNJ
TAJC225K035RNJ
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比 (beta) 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。
TAJE686M020RNJ_TAJE686M020RNJ
NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。
